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STB150N3LH6 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | STMicroelectronics | 电话:0755-83217923 询价QQ: |
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STB150N3LH6参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N CH 30V 80A D2PAK 包装数量:1 包装形式: PDF资料下载:PDF文档 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3800pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 单二极管/齐纳1N4755A-TR 逻辑 - 触发器CY74FCT2374TSOCTE4 微調器3319W-1-203 矩形- 接头,公引1-794066-0 矩形- 接头,公引3-794631-2 面板指示器,指示灯01-91180-7 保险丝0251003.NRT2- 振荡器C3392-80.000 薄膜电容器MMP2P15K-F 钽电容器T356D335K035AT |